杂质半导体与费米能级 — 物理填空题
题目
室温 T=300K（kT=0.026 eV）下，某硅样品中掺入施主磷，浓度 N_D=2×10^16 cm^-3，全部电离，本征载流子浓度可忽略。已知导带有效状态密度 N_c=2.8×10^19 cm^-3。则该 n 型半导体的费米能级位于导带底 E_c 下方的距离 E_c−E_F = kT·ln(N_c/N_D) = ____ eV（保留两位小数）。
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