杂质半导体与费米能级 — 物理计算题
题目
室温（T=300K，kT=0.026 eV）下，某硅样品中掺入的施主磷原子全部电离，导带有效状态密度 N_c=2.8×10^19 cm^-3，本征载流子浓度 n_i=1.5×10^10 cm^-3。实验测得该 n 型半导体的费米能级位于导带底 E_c 下方 0.182 eV 处。求：(1) 多数载流子（电子）浓度 n；(2) 施主掺杂浓度 N_D（设杂质完全电离、耗尽近似下 n≈N_D）；(3) 少数载流子（空穴）浓度 p（结果保留两位有效数字）。