杂质半导体与费米能级 — 物理选择题
题目
某硅样品在室温 T=300K（kT=0.026 eV）下掺入施主杂质磷，施主浓度 N_D=4×10^16 cm^-3，导带有效状态密度 N_c=2.8×10^19 cm^-3，本征载流子浓度 n_i=1.5×10^10 cm^-3。假设杂质完全电离且样品处于非简并饱和区，则该 n 型半导体的费米能级 E_F 相对本征费米能级 E_i 的位置（E_F−E_i）约为多少？
A. 约 +0.17 eV
B. 约 −0.39 eV
C. 约 +0.39 eV
D. 约 +0.65 eV