杂质半导体与费米能级 — 物理选择题
题目
在室温下，某锗样品中仅掺入浓度为 N_D=1×10^14 cm^-3 的施主砷（全部电离），本征载流子浓度 n_i 远小于 N_D。关于该 n 型半导体的费米能级 E_F，下列说法正确的是：
A. E_F 位于禁带中央附近，与 E_i 几乎重合
B. E_F 位于本征费米能级 E_i 之上，靠近导带底
C. E_F 位于本征费米能级 E_i 之下，靠近价带顶
D. 掺入施主杂质后费米能级位置不变，仍与 E_i 重合
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