杂质半导体与费米能级 — 物理填空题
题目
室温（T=300K，kT=0.026 eV）下，某硅样品中同时掺入施主磷（浓度 N_D=3×10^16 cm^-3）和受主硼（浓度 N_A=1×10^16 cm^-3），两族杂质均完全电离，本征载流子浓度 n_i=1.5×10^10 cm^-3。补偿后多子电子浓度 n≈____ cm^-3，此时费米能级相对本征费米能级的位置 E_F−E_i=kT·ln(n/n_i)≈____ eV（保留两位小数）。
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