物理填空题简单

p-n结的形成与内建电势 — 物理填空题

固体物理半导体物理基础 AI 三重审校通过

题目

硅突变p-n结处于热平衡，温度300 K，取热电压 V_T = kT/q = 0.026 V，本征载流子浓度 n_i = 1.5×10^10 cm^(-3)。p区受主浓度 N_A = 10^17 cm^(-3)，n区施主浓度 N_D = 10^14 cm^(-3)。则该p-n结的内建电势 V_bi = V_T·ln(N_A·N_D/n_i²) ≈ ____ V（保留两位小数）。

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