p-n结的形成与内建电势 — 物理选择题
题目
热平衡状态下，均匀半导体内部形成 p-n 结后，关于空间电荷区与内建电势，下列说法正确的是（ ）
A. 空间电荷区内载流子浓度高于中性区，内建电势阻碍载流子的扩散运动
B. 空间电荷区因多子相互扩散而留下电离杂质，形成由 n 区指向 p 区的内建电场
C. 内建电场由 p 区指向 n 区，其作用是加速多子扩散直到电流消失为止
D. 内建电势差在热平衡时为零，故结区没有任何电场存在
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