物理计算题简单

p-n结的形成与内建电势 — 物理计算题

固体物理半导体物理基础 AI 三重审校通过

题目

锗均匀突变p-n结处于热平衡，温度为300 K，取热电压kT/q=0.026 V，本征载流子浓度n_i=2.5×10^13 cm^(-3)。已知p区受主浓度N_A=5×10^15 cm^(-3)，n区施主浓度N_D=2×10^15 cm^(-3)。求该p-n结的内建电势差V_bi（结果保留两位小数）。

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