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p-n结的形成与内建电势 — 物理计算题

固体物理半导体物理基础 AI 三重审校通过

题目

在硅p-n结中，p区受主浓度N_A=10^16 cm^(-3)，n区施主浓度N_D=10^17 cm^(-3)，本征载流子浓度n_i=1.5×10^10 cm^(-3)。该结处于热平衡，热电压V_T=kT/q=0.026 V。试计算该p-n结的内建电势V_bi（结果保留三位有效数字）。