物理 填空题 简单

p-n结的形成与内建电势 — 物理填空题

固体物理 半导体物理基础 AI 三重审校通过

题目
在硅p-n结中,p区受主浓度为N_A=10^16 cm^(-3),n区施主浓度为N_D=10^17 cm^(-3),本征载流子浓度为n_i=10^10 cm^(-3),热平衡时热电压V_T=kT/q=0.026 V。则该p-n结的内建电势V_bi=V_T×ln(N_A·N_D/n_i²)=____ V(保留两位小数)。