p-n结的形成与内建电势 — 物理计算题
题目
硅突变 p-n 结处于热平衡，温度为 300 K，取热电压 kT/q=0.025 V，本征载流子浓度 n_i=10^10 cm^(-3)。p 区受主浓度 N_A=10^16 cm^(-3)，n 区施主浓度 N_D=10^17 cm^(-3)。取 ln10≈2.3。求：(1) 该 p-n 结的内建电势 V_bi；(2) 若其他条件不变，将 n 区换成施主浓度为 N_D=10^16 cm^(-3) 的 n 区，内建电势变为原来的多少倍？