物理填空题简单 ★ 精品

p-n结的形成与内建电势 — 物理填空题

固体物理半导体物理基础 AI 三重审校通过

题目

在一块硅单晶中，p-n结由受主浓度为N_A的p区和施主浓度为N_D的n区构成，本征载流子浓度为n_i。已知热电压kT/q记为V_T。热平衡时p-n结内建电势的表达式为 V_bi = V_T·ln(____)（用N_A、N_D、n_i表示）。