p-n结的形成与内建电势 — 物理填空题
题目
在硅p-n结中，p区受主浓度为N_A=10^15 cm^(-3)，n区施主浓度为N_D=10^15 cm^(-3)，本征载流子浓度n_i=10^10 cm^(-3)，工作温度下kT/q=0.026 V，已知ln10≈2.303。则该p-n结的内建电势差V_bi=(kT/q)×ln(N_A·N_D/n_i²)=____ V（保留一位小数），空间电荷区内建电场方向由____区指向____区。
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