物理填空题较难

霍尔效应及其应用 — 物理填空题

固体物理半导体物理基础 AI 三重审校通过

题目

一n型硅样品沿x方向通有电流 I=1 mA，磁感应强度 B=0.5 T 沿+z方向，样品沿z方向厚度 d=0.5 mm，电子浓度 n=5×10²¹ m⁻³，电子电荷量 e=1.6×10⁻¹⁹ C。则霍尔电压 V_H=____ mV（结果保留3位有效数字）；由于电子漂移方向沿−x，受洛伦兹力偏向−y侧堆积，故−y侧电势较____（填"高"或"低"）。

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