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冰中每个水分子可与其他水分子形成氢键，氢键中 H 原子总是趋向与邻近水分子中 O 原子的孤对电子方向成直线排列。氢键之所以具有这种方向性，其本质原因是：A. H 原子与 O 原子的孤对电子之间存在定向静电吸引，沿孤对电子方向作用最强 B. 水分子之间形成了共价键，共价键有方向性 C. 水分子具有极性，任何取向的分子间引力都相同 D. H 原子的体积大，只能从特定方向靠近 O 原子
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某立方晶系晶体晶胞参数 a=420√3 pm，用波长 λ=140 pm 的单色 X 射线照射其（111）晶面族。已知立方晶系中 d_hkl=a/√(h²+k²+l²)，按 Bragg 方程 2d·sinθ=nλ（取 n=1），该晶面族一级衍射的 sinθ 为 A. 1/4 B. 1/6 C. 1/3 D. √3/6
某立方晶系晶体中，一晶面在三个晶轴上的截距分别为 a/2、2a、3a（a 为晶胞边长）。该晶面的晶面指数（hkl）及该晶面族相邻晶面间距与 a 之比 d/a 分别为（ ） A. (632)，1/7 B. (632)，1/√7 C. (236)，1/7 D. (623)，1/11
关于范德华力的三种成分，下列叙述正确的是： A. 取向力只存在于极性分子之间，且随温度升高而减弱 B. 色散力只存在于非极性分子之间 C. 诱导力只存在于极性分子与非极性分子之间 D. 三种成分中通常只有取向力对总范德华能有主要贡献
Lennard-Jones 势能函数为 V(r)=4ε[(σ/r)^12−(σ/r)^6]，其中 ε 为势阱深度，σ 为碰撞直径。下列关于该函数各参数与项的说法，正确的是：A. ε 表示分子间排斥能达到最大时的距离 B. 当 r=σ 时，V(r)=0 C. (σ/r)^6 项描述近距离排斥作用 D. ε 越小，势阱越深，分子间吸引越强
某A₂O₃型离子晶体中，正离子A³⁺的配位数为6。依据Pauling第二规则（静电价规则），每个O²⁻离子周围最可能连接的A³⁺离子个数为多少？A. 2 B. 3 C. 4 D. 6
某立方晶系晶体晶胞参数 a=350√2 pm。用波长 λ=175 pm 的单色 X 射线照射，考察（110）晶面族的衍射。已知立方晶系中 d_hkl=a/√(h²+k²+l²)，Bragg 方程为 2d·sinθ=nλ。则在（110）晶面族上产生衍射角 θ=30° 的衍射时，衍射级数 n 为多少？ A. 1 B. 2 C. 3 D. 4
下列各组物质中，熔沸点高低主要取决于分子间氢键的是（ ） A. H₂O 与 H₂S B. CH₄ 与 SiH₄ C. CO₂ 与 CS₂ D. Br₂ 与 Cl₂
某立方晶系晶体中，一晶面在三个晶轴上的截距分别为 4a、2a、a（a 为晶胞边长）。该晶面的晶面指数及该晶面族相邻晶面间距与 a 之比 d/a 分别为（ ） A. (124)，1/√21 B. (124)，1/√14 C. (241)，1/√21 D. (142)，1/√14
下列关于范德华力三种成分（取向力、诱导力、色散力）特点的叙述，正确的是： A. 色散力只存在于非极性分子之间 B. 诱导力随温度升高而明显减弱 C. 取向力只存在于极性分子之间，且随温度升高而减弱 D. 对大多数分子而言，取向力通常是三种成分中最强的一种
14种Bravais格子是按晶系对称性对空间点阵分类后得到的独立格子类型，某些表面上看似可能的格子会因可约化或与对称性矛盾而被排除。据此判断，下列说法正确的是（ ） A. 四方晶系存在底心C格子且独立于简单P格子 B. 立方晶系存在底心C格子且独立于面心F格子 C. 四方晶系的面心F格子可重新选取素向量约化为体心I格子，故不列为独立Bravais格子 D. 六方晶系包含简单P、底心C、体心I三种Bravais格子
关于氢键的本质与方向性，下列说法正确的是：A. 氢键是 X—H 与电负性大、半径小的原子 Y 上的孤对电子之间的共价键，无方向性 B. 氢键本质上是具有方向性的静电相互作用，X—H 与 Y 上孤对电子间的静电吸引在三者近乎共线时最强 C. 氢键本质上是范德华力的一种，Y 原子与 X—H 处于任意相对方位时作用强度都相同 D. 氢键是 H 原子得失电子形成的离子键，其强弱只取决于 Y 原子的半径
某立方晶系晶体中，一晶面在三个晶轴上的截距分别为 3a、a、2a（a 为晶胞边长）。求该晶面的晶面指数及该晶面族相邻晶面间距 d 与 a 的比值 d/a。 A. (263)，d/a = 1/7 B. (623)，d/a = 1/7 C. (263)，d/a = 1/49 D. (362)，d/a = 1/11
某立方晶系晶体，其某一晶面在三个晶轴上的截距分别为 a、a/2、a（a 为晶胞边长）。该晶面的晶面指数为 (hkl)，取 a = 0.6 nm，则该晶面的晶面间距 d =（ ） A. 0.200 nm B. 0.245 nm C. 0.300 nm D. 0.424 nm
Lennard-Jones 势能函数为 V(r)=4ε[(σ/r)¹²−(σ/r)⁶]，其中 r 为分子间距离。当 r 趋于无穷大（r→∞）时，V(r) 的极限值为下列哪一项？A. −ε B. 0 C. ε D. ∞
根据配合物的价键理论，配离子 [CoF₆]³⁻ 的实测磁矩约为 4.9 B.M.，对应 4 个未成对电子。Co 为 27 号元素，F⁻ 为弱场配体。据此判断：该配离子中中心离子 Co³⁺ 采取的杂化方式及配离子空间构型为（ ） A. d²sp³ 杂化，八面体 B. sp³d² 杂化，八面体 C. dsp² 杂化，平面正方形 D. sp³ 杂化，四面体
关于极性分子与非极性分子之间范德华力的组成，下列说法正确的是： A. 只存在取向力 B. 只存在诱导力 C. 存在诱导力和色散力，但不存在取向力 D. 三种力同时存在
某金属晶体采取等径圆球密堆积，已知其结构中球体沿体对角线方向以 ABCABC… 方式重复排列，且每个球周围距离相等且最近的球共有12个，八面体空隙数与球数之比为1:1。下列关于该晶体密堆积方式的判断，正确的是：A. 该晶体为六方最密堆积（A3），堆积系数为74.05% B. 该晶体为面心立方最密堆积（A1），其晶胞内含4个球 C. 该晶体为体心立方密堆积（A2），配位数为8 D. 该晶体为简单立方堆积，配位数为6
某八面体配合物中心离子为 d⁴ 组态，分裂能 Δo=25000 cm⁻¹，平均成对能 P=20000 cm⁻¹。按晶体场理论：若采取高自旋排布 t₂g³eg¹，晶体场稳定化能 CFSE(高) = 3×(-0.4Δo)+0.6Δo；若采取低自旋排布 t₂g⁴，CFSE(低) = 4×(-0.4Δo)+P。下列说法正确的是： A. 高自旋排布 CFSE 为 -15000 cm⁻¹，且比低自旋更稳定 B. 低自旋排布 CFSE 为 -20000 cm⁻¹，比高自旋的 -15000 cm⁻¹ 更低，该配合物应采取低自旋 C. 两种排布 CFSE 相等，均为 -17500 cm⁻¹ D. 低自旋排布 CFSE 为 -30000 cm⁻¹，因成对能可忽略
关于范德华力三种成分（取向力、诱导力、色散力）的存在条件与特点，下列说法完全正确的是： A. 取向力只存在于极性分子之间，且随温度升高而减弱；诱导力和色散力则同时存在于极性分子之间与极性—非极性分子之间 B. 色散力只存在于非极性分子之间，极性分子之间不存在色散力 C. 诱导力只存在于极性分子与非极性分子之间，两个极性分子之间不存在诱导力 D. 非极性分子（如CO₂）之间完全没有范德华力，故其升华所需能量只来源于化学键的破坏